现在全球仅有能制作EUV光刻机的厂商，只要荷兰的ASML。 而芯片进入7nm之后，就需要用到EUV光刻机，所以曩昔的这几年，台积电、三星、intel等厂商，都是想方设法从ASML那抢购EUV光刻机

  台积电2nm芯片发动，学习三星，扔掉老掉牙的FinFET，选用GAAFET

  在芯片工艺中，有一个中心目标，叫做“线宽”。 什么叫线宽？指的是芯片的最小电路蚀刻宽度，线宽越窄，单位面积所能刻蚀的晶体管数量就越多，功能也就越强。 但线宽不可能无限缩小，由于电路要正常通电，至少也要维持着几十上百个原子的宽度，不可能继续的，无限的缩小的

  36V/1.6A两通道H桥驱动芯片-SS8812T可代替DRV8812

  由工采网署理的SS8812T是一款双通道H桥电流操控电机驱动器；每个 H 桥可提供输出电流 1.6A，可驱动两个刷式直流电机，或许一个双极步进电机，或许螺线管或许其它理性负载；双极步进电机能够以整步、2 细分、4 细分运转，或许用软件完成高细分

  众所周知，现在的芯片工艺均是光刻工艺，即经过光学--化学反应原理，用光线将电路图传递到涂了光刻胶硅晶圆上，构成有用的电路图形。 而芯片十分小，电路图很杂乱，一颗芯片乃至几十层电路路，而用晶体管密度来看，现在的3nm工艺下，每一平方毫米，更是达到了近2亿个晶体管，所以光刻工艺很杂乱和精密