霍尔效应的原理 霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，18551938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它和半导体材质有关；IC为霍尔元件的偏置电流；B

  0 引言 本方案所设计的基于霍尔元件的脉冲发生器要求成本低，构造简单，性能好。在电气控制管理系统中存在着较为恶劣的电磁环境，因此要求产品本身要具有比较强的抗干扰的能力。系统主要由AT89S52 单片机处理系统、电机、传感器检验测试单元、信号处理单元和显示系统等几个部分所组成。 1 总体方案设计 对转速的测量其实就是对转子旋转引起的周期脉冲信号的频率做测量。霍尔元件测速法是利用霍尔开关元件测转速的。 霍尔开关元件内含稳压电路、霍尔电势发生器、放大器、施密特触发器和输出电路。输出电平与TTL 电平兼容，在电机转轴上装一个圆盘，圆盘上装若干对小磁钢，小磁钢越多，分辨率越高，霍尔开关固定在小磁钢附近，当电机转动时，每当一个

  线性电位器(线性霍尔元件)控制底盘驱动电机的PWM生成电路 一个使用游戏手柄或者航模摇杆上的线性电位器（或线性霍尔元件）控制两个底盘驱动电机的PWM生成电路。J1是手柄的插座，123和456分别是x，y两个方向的电位器。U1B提供半电源电压，U1A是电压跟随。x，y分量经过合成成为控制左右轮两个电机转速的电压信号。在使用中，让L=(x+1)y/(x+1.4)，R=(x-1)y/(x-0.6)，经过试验有不错的效果（数字只是单位，不是电压值）。经过U1C和U1D组成的施密特振荡器把电压转换为相应的PWM信号，用来控制功率驱动电路。以U1D为例，R1，R2组成有回差的施密特电路，上下门限受输入电压影响，C1和R3组成延时回路

  霍尔元件简介及应用 霍尔元件之作用原理也就是霍尔效应，所谓霍耳效应如图1所示，系指将电流I 通至一物质，并对与电流成正角之方向施加磁场B 时，在电流与磁场两者之直角方向所产生的电位差V 之现象。此电压是在以下情况下所产生的，有磁场B 时，由于弗莱铭(Fleming)左手定则，使洛仁子力(即可使流过物质中之电子或正孔向箭头符号所示之方向弯曲的力量：(Lorentz force)发生作用，而将电子或正孔挤向固定输出端子之一面时所产生。电位差V 之大小通常决定于洛仁子力与藉所发生之电位差而将电子或正孔推回之力(亦即前者之力等于后者之力)，而且与电流I 乘以磁场B 之积成比例。比例常数为决定于物质之霍耳常数除以物质在磁场方向之厚度所得

  ，于是在电源插座多加盖子再贴上紧告标语，或将电源插座隐藏，但这样只有做到警示或隐藏的效果，却没办法真正达到防止遭他人使用的目的。本系统基于在使用者付费或是防止窃电的前提下，利用无线射频辨识系统（RFID）技术来进行对使用者的判别，使设置在公众场合的电源插座受到保护。在安全考量下，一般市面上过载保护，绝大多数是使用无熔丝开关，无熔丝开关的保护塬理是採用金属受热改变弯曲程度，以判别是否过载，但酿成意外时，都是电缆的绝缘过热熔毁，而无熔丝金属片尚未跳脱。也因此，本系统除无熔丝开关外，并增加一温度感测器，紧贴于电缆外皮，以侦测电缆外皮是不是达到温度上限。在使用者付费的观念下，电源插座开发商可运用库伦量测法，计算使用者的电流用量。方法是藉由霍尔元件侦测

  固定特征的标识码，它用于精读数。3 应用实例若图1中的“铁磁性材料下作部件”表示液压缸的活塞杆；“非磁性材料”为特制黑色陶瓷，平整地覆盖在活塞杆表面；“磁敏元件”为霍尔元件，它以两个单位宽度为轴向间隔，绕活塞杆环状布置在液压缸前端，轴线与活塞杆一·致，以便尽可能减少活塞杆的角位移和径向位移的影响，精确测出其位置。 取h=3mm；b=2mm，则相邻霍尔元件轴向间距N---4mm，6位编码的每组码区长度L=30mm。可知，要识别一个完粘的码区必须设置9个霍尔元件，但为了能随时识别出一个完整码区，必须设置16个霍尔元件。以图2所示时刻位置来说明其丁作过程，其中箭头表示霍尔元件，数字为其编号。 霍尔电路的工作原理是，在外磁场的作用

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