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晶圆表面金属元素领悟手艺-VPD ICP-MS

发布时间:2022-05-26 02:27:07 来源:必威游戏 作者:必威中国
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  地下管道检测设备

  硅片加工经过中会带来百般金属杂质沾污,进而导致后道器件的失效,轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压低落,重金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命低落。所以,硅片动作器件的原资料,其表观金属含量会直接影响器件的及格率。特定的污染题目可导致半导体器件差此表缺陷,一般这些金属杂质是超微量的金属离子存正在。

  目前咱们为了能测试出晶圆表观这些超微量的金属离子目前公共利用的比拟常见的技巧本领通常为:VPD(Vapor Phase decomposition)化学气相理会)配合以下元素认识修筑中的一种来完成:

  TXRF由于是X射线动作荧光的激励源,于是看待某些轻金属元素像Na、Mg、Al等超微量存正在的离子无法检测出来,通常实用于重金属。

  ICP-MS险些可认识险些地球上一共元素(Li-U)该技巧是80年代起色起来的新的认识测试技巧。它以将ICP的高温(8000K)电离性子与四极杆质谱计的灵动疾捷扫描的甜头相连合而变成一种新型的最强有力的元素认识、同位素认识和状态认识技巧。该技巧供应了极低的检出限、极宽的动态线性限度、谱线浅易、作梗少、认识细密度高、认识速率疾以及可供应同位素新闻等认识性子。

  1.将硅片置于 VPD 室中,并吐露于 HF 蒸气中以溶化天然氧化物或热氧化的 SiO2表观层

  2.将提取液滴(一般为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以尽心职掌的办法倾斜,使得液滴正在晶圆表观上“扫掠”

  3.跟着提取液滴正在晶圆表观上搬动,它会搜罗溶化态 SiO2 与一共污染物金属

  4.将提取液滴从晶圆表观上迁移至 ICP-MS 或 ICP-MS/MS 体例中举行认识

  除了以上操作经过中咱们要避免正在实行室二次污染咱们操作经过中对处境及样品运输都有一个正经的准则,合于确切的运输包装咱们提议您:

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